重庆6MBI100VB-120-50哪家好

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igbt绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mosfet组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。igbt绝缘栅双极型晶体管可以在低输入阻抗和高输出阻抗的情况下实现高电压的驱动，因而具有很强的抗干扰能力，同时还能提供较低电压下的驱动效率。igbt绝缘栅双极型晶体管可以在高电压下实现较高的驱动效率，同时还具有较低的阻抗和gtr的低导通压降两方面优点。igbt绝缘栅双极型晶体管采用特殊结构，其外围设计非常简单。它们是由两个mosfet组成。其中一个mosfet采用一条直流电源供电，另外一只mosfet则使用一条直流输出。

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